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カテゴリ「電気・電子」 の検索結果を表示しています

947
登録特許数
株式会社ディスコ
ランクA

マスクセット

本技術は、高精度な配線パターン成膜を実現するマスクセットに関するものです。第1のメタルマスクで配線パターンの一部を形成し、次に第1のマスクの開口部を覆う空間部を持つ第2のメタルマスクを用いて他の部分を成膜する二段階方式を採用しています。これにより、マスクのずれや成膜時のばらつきを抑制し、従来技術では...

電気・電子 金属材料 機械・部品の製造

成膜精度、最大30%向上。次世代デバイス量産を加速

💰 年間約1.5億円のコスト削減効果

企業
⏳ 権利存続期間 3年
株式会社ディスコ
ランクA

半導体装置及びその製造方法

本技術は、従来の半導体製造における高コストかつ複雑なフォトリソグラフィー工程を不要にする画期的な製造方法です。メタルマスクを介したイオンプレーティング法を用いることで、半導体基板上に直接、高信頼性の金属配線層を形成します。これにより、多段階のプロセスを大幅に簡素化し、設備投資、材料費、人件費といった...

電気・電子 機械・部品の製造

脱フォトリソグラフィー。製造コスト1/3、信頼性向上

💰 年間1.5億円の製造コスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 3年
株式会社ディスコ
ランクA

半導体装置及びその製造方法

本技術は、半導体装置における配線層の形成方法と、その配線層を用いた高信頼性半導体装置を提供します。従来の半導体製造で不可欠とされてきたフォトリソグラフィー法に替わり、メタルマスクとイオンプレーティング法を組み合わせることで、配線層を直接形成します。これにより、製造プロセスの大幅な簡素化、コスト削減、...

電気・電子 機械・部品の製造

フォトリソ不要。半導体配線、低コスト高信頼性へ

💰 年間約2.5億円の製造コスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 3年
株式会社ディスコ
ランクA

半導体装置及びその製造方法

本技術は、半導体装置における回路基板の配線層を、従来のフォトリソグラフィー法に代わり、イオンプレーティング法を用いて直接形成する画期的な製造方法を提供します。開口部を有するメタルマスクを基板に被せ、イオン化された被着金属に特定の被着エネルギーを与えることで、高精度かつ低コストで配線層を形成。これによ...

電気・電子 機械・部品の製造

低コスト・高信頼性。半導体配線革新

💰 年間2.5億円の製造コスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 3年
ナガセケムテックス株式会社
ランクA

正極合材

本技術は、特定の比表面積を持つ固体電解質と硫黄系正極活物質、さらに導電材を最適化された比率で配合することで、高容量の全固体型電池を実現する正極合材です。従来の電池では難しかった硫黄の充填率向上と、比較的大きい電流値での高容量維持を可能にします。これにより、電気自動車の航続距離延長やポータブルデバイス...

電気・電子 材料・素材の製造

次世代電池、容量1.5倍。全固体で実現

💰 年間5億円の材料コスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 5年
ナガセケムテックス株式会社
ランクA

正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を革新する正極合材に関する特許です。硫黄の高い理論容量を活かしつつ、従来の課題であった充放電特性の劣化を克服するため、リチウムに対して2.4V以上の自然電位を有する特定のイオン伝導性物質(Li₂SとP₂S₅の複合化物)を正極合材に導入しています。この独自構成に...

電気・電子 材料・素材の製造

容量2倍、全固体Li硫黄電池。次世代EVを加速

💰 年間1.5億円のEV電池コスト削減効果

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
ランクA

全固体型リチウム硫黄電池の正極合材の製造方法

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の正極合材層において、硫黄、硫黄界面反応向上剤、導電材、および特定の固体電解質を組み合わせることで、従来の課題であった充放電容量の不足と界面抵抗の増大を解決します。特に、P2S5を含む硫黄界面反応向上剤と、Li2SとMxSy(MはP, Si, Ge, B, Al)の...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体LS電池、容量2倍。次世代EVを加速

💰 バッテリーコスト20%削減、航続距離1.5倍

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
ランクA

薄膜硫黄被覆導電性カーボン、正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる「薄膜硫黄被覆導電性カーボン」に関するものです。高比表面積の導電性カーボン表面に、極めて薄い硫黄膜を精密に被覆することで、硫黄活物質の利用効率を最大化し、高放電容量と優れたレート特性を実現します。これにより、次世代EVやドローン、定置型蓄電...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体Li-S電池、高容量化。EV航続距離1.5倍

💰 年間30%の電池コスト効率向上

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
ランクA

薄膜硫黄被覆導電性カーボンの製造方法、薄膜硫黄被覆導電性カーボン、正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる「薄膜硫黄被覆導電性カーボン」の製造方法を提供します。硫黄は高い理論容量を持つものの、充放電時の体積変化や導電性不足が課題でした。本技術は、BET比表面積が500m2/g以上の導電性カーボンを硫黄溶液に浸漬することで、表面に均一な硫黄薄膜を...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体電池、容量2倍。次世代正極材でEV航続距離革新

💰 年間75億円のバッテリーコスト削減効果

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
ランクA

正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、次世代全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる正極合材に関するものです。特に、リンを含有するイオン伝導性物質を最適配合することで、硫黄系正極材料が持つ高理論容量を最大限に引き出しつつ、充放電時の反応界面抵抗を劇的に低減します。これにより、従来の液系リチウムイオン電池では達成困難だ...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体Li硫黄電池、容量2倍。EV航続距離を革新

💰 年間2.5億円のEVバッテリーコスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる正極合材に関するものです。特に、リン含有イオン伝導性物質、高含有量の硫黄、そして特定比表面積の導電材を組み合わせることで、従来の課題であった硫黄-導電材間の反応抵抗を大幅に低減します。これにより、低電流から高電流まで幅広い条件下で優れた充放...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体電池、高容量化。反応抵抗1/3低減

💰 年間3億円の材料コスト削減、生産性20%向上

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

薄膜硫黄被覆活性炭、正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、次世代電池として期待される全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる正極合材用薄膜硫黄被覆活性炭に関するものです。従来の硫黄正極が抱える課題、特に硫黄の導電性の低さや充放電時の体積変化による劣化を、特殊な活性炭と極薄の硫黄被覆で解決します。これにより、硫黄の持つ理論容量の最大値を引...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体電池、容量2倍。次世代EVを加速

💰 年間数億円規模のEV航続距離延長価値

企業
⏳ 権利存続期間 7年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

薄膜硫黄被覆活性炭の製造方法、薄膜硫黄被覆活性炭、正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の正極合材に最適な薄膜硫黄被覆活性炭の製造方法を提供します。既存のリチウムイオン電池が持つエネルギー密度と安全性の課題に対し、硫黄の持つ高い理論容量を最大限に活用し、放電容量とレート特性を飛躍的に向上させます。具体的には、高比表面積の活性炭を硫黄溶液に浸漬し、膜厚0...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体電池、容量2倍。次世代EVを加速

💰 年間約1.5億円の部材コスト削減と製品単価向上

企業
⏳ 権利存続期間 7年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

正極合材及びその製造方法、並びに、全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の正極合材とその製造方法、並びにそれを用いた全固体型リチウム硫黄電池に関するものです。主要な構成要素として、(A)硫黄及びその放電生成物、(B)単体リン及び/又はPxSy、(C)イオン伝導性物質、(D)導電材を含みます。これにより、硫黄の持つ高容量特性を最大限に引き...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体Li-S電池、高容量化。高電流密度200mAh/g超

💰 EV航続距離1.5倍、年間1.2億円の市場機会創出

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

正極合材及び全固体型ナトリウム硫黄電池

本技術は、全固体型ナトリウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる正極合材に関するものです。従来のナトリウム硫黄電池は、高エネルギー密度を持つものの、300℃以上の高温での作動が必須であり、これが導入コストや安全性、運用効率の大きな課題でした。本技術は、特定のリン含有イオン伝導性物質と、比表面積が100...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体NaS電池、常温稼働で容量2倍

💰 年間1.5億円のエネルギーコスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 6年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる正極合材に関するものです。リン(P)、硫黄(S)、リチウム(Li)、ヨウ素(I)を含む特定の重量比のイオン伝導性複合化物と、高比表面積の導電材、および硫黄を組み合わせることで、従来の課題であった硫黄系正極の充放電容量低下や高電流対応の困難さ...

電気・電子 材料・素材の製造

次世代全固体電池、容量1.5倍。EV航続距離を革新

💰 年間数十億円規模の市場競争力向上

企業
⏳ 権利存続期間 7年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる正極合材に関するものです。従来の電池が抱えるエネルギー密度や充放電安定性の課題に対し、硫黄及びその放電生成物、イオン伝導性物質、そして1S/cm以上の導電率を有する導電材料で被覆された活性炭を組み合わせることで解決を図ります。この革新的な正...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体電池、容量2倍。次世代EVの核心技術

💰 年間1.5億円の先行者利益創出

企業
⏳ 権利存続期間 7年
ナガセケムテックス株式会社
⭐ ランクS

正極合材及び全固体型リチウム硫黄電池

本技術は、全固体型リチウム硫黄電池の性能を飛躍的に向上させる革新的な正極合材に関するものです。硫化リンと導電材を特定の重量比で組み合わせ、リンの重量比を0.15〜0.55に制御することで、正極合材当たりの充放電容量を大幅に高めます。特に、絶縁性の高い単体硫黄を使用しない点が特徴であり、これにより全固...

電気・電子 材料・素材の製造

全固体電池、容量2倍。EV航続距離を革新

💰 年間約30億円の燃料コスト・部品コスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 7年
萩原製作所合同会社
⭐ ランクS

チューブ切断装置

本技術は、圧縮空気の供給が不要な場所でも高精度なチューブ切断を可能にする、革新的な電動チューブ切断装置です。中空の回転プレート上に切断刃を配置し、チューブガイド部でチューブを直線的に送り出すことで、回転プレートが1回転するごとに1回の切断を行うシンプルなメカニズムを採用しています。これにより、装置構...

電気・電子 機械・加工 機械・部品の製造

電動駆動。エア不要、装置簡素化で効率30%向上

💰 年間1,500万円の運用コスト削減。

企業
⏳ 権利存続期間 13年
株式会社ユピテル
⭐ ランクS

装置およびプログラム

本技術は、車両や設備で発生する特定のイベントを検知し、そのイベント発生前後の映像を効率的に記録・管理する装置およびプログラムです。従来の常時録画方式と比較して、必要な情報のみをピンポイントで記録するため、データ検索の手間とストレージコストを大幅に削減します。特に、記憶媒体への連続したアドレス記録と上...

電気・電子 情報・通信 機械・部品の製造

イベント前後を確実に記録。安全・効率を最大化

💰 年間2,500万円の事故対応コスト削減

企業
⏳ 権利存続期間 13年
国立大学法人信州大学
⭐ ランクS

情報伝送装置および移動体および情報伝送方法および情報伝送プログラム

本技術は、自動車等の地上を走行する移動体から得られるセンサ情報、特に複数の車輪の姿勢に係る位置情報を効率的に伝送する革新的な装置です。X軸およびY軸の位置情報に応じてキャリアを第1の物理量で変調し、Z軸の位置情報の符号に応じて第2の物理量で変調することで、伝送情報量を大幅に圧縮します。これにより、無...

電気・電子 情報・通信 機械・部品の製造

移動体データ、伝送量80%削減。周波数効率を最大化

💰 年間3,500万円の通信コスト削減

大学・TLO
⏳ 権利存続期間 13年
国立研究開発法人理化学研究所
⭐ ランクS

紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器

本技術は、深紫外発光ダイオード(DUVLED)の光取出し効率を飛躍的に向上させる画期的な構造を提供します。特に、AlNとGaNの混晶からなるp型コンタクト層にインジウム(In)を添加することで、紫外光に対する透過率を大幅に改善。さらに、放射UV波長に対して反射性の高い金属膜からなる反射電極をパターニ...

電気・電子 機械・部品の製造

深紫外LED効率20%向上。殺菌・硬化市場を刷新

💰 年間約3,000万円の電力コスト削減と製品寿命延長

学術研究
⏳ 権利存続期間 13年
日本放送協会
⭐ ランクS

立体画像生成装置及びそのプログラム

本技術は、立体画像生成において、質感表現の劣化を抑制しながら奥行き知覚を調整できる画期的な装置とそのプログラムを提供します。仮想カメラ画像取得手段と奥行き圧縮パラメータ入力手段を備え、奥行き圧縮関数を用いて仮想カメラ画像の画素位置を奥行き圧縮後の画素位置に変換します。この際、奥行き圧縮自体は適用せず...

電気・電子 情報・通信 機械・部品の製造

質感劣化ゼロ。次世代3D映像、没入感向上

💰 年間2.5億円の顧客体験価値向上

学術研究
⏳ 権利存続期間 13年
国立大学法人電気通信大学
⭐ ランクS

タグ情報読み取り回路及びチップレス・タグシステム

本技術は、共振周波数の異なる複数の伝送線路共振器を用いたマルチ共振器型のチップレス・タグシステムです。具体的には、互いに対向し一定間隔を保つ第1・第2の伝送線路と、これらを接続する第3の伝送線路からなる共振器を複数配置します。これらの共振器は、すべて同一間隔で平行に一直線に並ぶように配置され、これに...

情報・通信 電気・電子 制御・ソフトウェア

チップレス・タグ、符合数2倍。高精度読み取りを実現

💰 年間6,700万円以上のコスト削減効果

大学・TLO
⏳ 権利存続期間 13年